尚昌和  1963军11月生，安徽省人1986年毕业于清华争大学工程物理系，1991年在清华大学获博士学位，1991年至1992年在中国科学院物理研究所作博士后研究，现为中国科学院物理研究所副研究员。他主要从事离子束作用下相变现象的研究。用离子束方法研究薄膜中的分形生长中，在不同的二元合金中观察到许多崭新的分形生长现象和结构，获得了与多种图形生长有关的有新意的结果；他以清晰的图片证实了在高子辐照的NIMO非晶薄膜中旋错类一维拓扑缺陷的存在，从理论上给予详尽的诠释，这一发现对非晶薄膜中线缺陷的形成过程及其对材料性能影响的研究具有重要的指导意义；最近，他在MN基磁光薄膜材料的研究中成功地合成了短C轴MnBiAl新相，揭示了克尔转角和倒易格矢之间存在的线性关系。新材料优越的磁光性能得到了国外有关专家的高度好评，认为该工作是代表在超高密度新型磁光记录材料实验研究中的一突破。几年来，他共发表论文30多篇。1991年获国家教委科技进步一等奖，1993年获国家自然科学二等奖，尚昌和同志在科研上勤奋踏实，作风严谨，为人谦让，成果卓著，立足国内，锐意创新，奋发进取。

推荐单位：中国物理学会